Br离子调控ZnO基钙钛矿太阳能电池的制备与光电性能

来源 :第十五届全国固体薄膜学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:wa1gwe52rg15
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  钙钛矿太阳能电池由于具有较小的激子能、介电常数高、载流子扩散速度快、扩散距离长、吸收光谱范围大等优点,对其研究已经越来越深入;在短短几年内,转换效率由3.8%发展到现在的22.1%,这已经接近于市场上的电池效率,应用前景非常广泛.
其他文献
有机薄膜晶体管(OTFT)与传统晶体管相比具有低成本、可弯曲等优点,在大面积柔性显示、传感器等领域具有广阔的应用前景。基于N型晶体管和P型晶体管共同构成的互补型集成电路(CMOS)是构成大规模集成电路芯片的核心。
稀土元素类选择性辖射器,由于其自身的选择性发射特性而备受关注,然而实验证明块状稀土氧化物的热膨胀系数大,抗热冲击能力差,开发稀土类薄膜型辐射体以替代稀土氧化物陶瓷块体,是改善其热稳定性和抗热冲击能力的一种途径。
近年来,有机金属卤化物(CH3NH3PbI3)钙钛矿材料因其可见光吸收系数高、载流子迁移率高且制备成本低廉等优点,成为了光伏领域的研究热点。在过去的四年中,钙钛矿太阳能电池的光电转换效率大幅提升,已经突破了20%。
硅基光子学与传统硅基微电子工艺兼容,被认为是实现光互联和光电集成的一种可能路径.然而硅为间接带隙半导体,无法高效发光.GaN基材料为第三代半导体,发光波长涵盖可见光波段,具有发光效率高、化学稳定性好等优点.
CdZnTe是一种性能优异的直接禁带半导体材料,具有直接跃迁能带结构的功能,改变Zn的百分比x,会有不同的用途。它具有如下优异性能:对X、γ射线具有较高的探测效率,能量分辨率很高,在室温下就可以正常工作。
会议
传统透明导电薄膜氧化铟锡(ITO)由于In的有限储藏量和陶瓷脆性使其在新一代柔性光电器件中的应用受到极大的限制。基于金属纳米线构建的透明导电薄膜不仅具有优异的导电性能和极高的光学透过率,液相低温工艺与低熔点柔性衬底相容,还具有良好的机械弯曲及拉伸特性,而成为有望取代ITO的优异电极材料之一。
薄膜膜的结晶质量对光电器件的性能有着重要影响。然而,由于晶格失配和不同的热膨胀系数,难以通过直接沉积的方法在玻璃,蓝宝石,氧化铝和硅衬底上制备高质量的β-Ga2O3薄膜。为了改善膜结晶质量,引入了同质缓冲层来减小膜和基板之间的晶格失配。
采用KP8带的模型计算InAs/GaAs(1-x)Sbx的量子点结构中,其具体的能带结构随Sb组分改变和量子点GaAs(1-x)Sbx覆盖层的厚度变化所发生的改变.本文,进一步根据波函数的分布位置的变化和能带结构的改变的计算,发现对于GaAsSb量子点,Sb组分增加至0.08时,量子点的各个空穴态的波函数开始向覆盖层GaAsSb层移动,不同的空穴态能带开始出现能级简并的现象,Ⅱ类量子点开始形成,组
透明导电薄膜是一种同时具备透明性和导电性的功能薄膜材料,其独特的性能使其广泛应用于液晶显示器、太阳能电池、节能玻璃等光电领域。在这类材料中,ZnO基透明导电薄膜不仅具有良好的光电性能,而且原材料丰富,价格低廉,无毒无污染,同时在氢等离子体环境中也有很好的稳定性,是ITO薄膜的理想替代物。