刻蚀选择比相关论文
为了缩短刻蚀时间以及提高发光二极管(LEDs)的发光性能,针对添加刻蚀辅助气体三氟甲烷(CHF3)的干法刻蚀工艺进行了研究.采用感应耦......
以CH4／H2／Ar为刻蚀气体，对带有SiO2掩膜图形的N型InSb晶片进行了感应耦合等离子体（ICP，inductivelycoupledplasma）刻蚀。研究了不同偏压......
提出了用氧化铟锡(ITO)作为掩膜对硅与玻璃的键合片进行深硅刻蚀的工艺。ITO薄膜采用直流溅射工艺常温生长,避免了传统等离子体化......
MgO薄膜对硅的高刻蚀选择比使其成为硅深刻蚀过程中重要的掩蔽层材料。本文采用腐蚀法对MgO掩蔽层薄膜进行图形化,得到了一组能够......
近年来,图形化蓝宝石衬底(PSS)作为GaN基LED外延衬底材料被广泛应用。采用感应耦合等离子体(ICP)技术对涂覆有光刻胶阵列图案的蓝......
由于常规电感耦合等离子体刻蚀系统所产生的离子能量分布(IED)为离散的双峰且分布较宽,很难满足在鳍型场效应晶体管(FinFET)刻蚀中......
使用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术刻蚀GaAs材料,在光刻过程中采用不同厚度的光刻胶,研究在同一刻蚀条件下不同光刻胶厚度对刻蚀......
随着集成电路从深亚微米级别向纳米级别的持续发展,铜互连工艺已经取代铝互连工艺。由于铜本身不像铝一样,可以与刻蚀气体反应后产......
氮化钽薄膜在微电子工艺中的应用比较广泛：在标准CMOS后道的铜互连技术中,作为阻挡层被应用；由于氮化钽与高K介质的良好兼容性,在45n......
