【摘 要】
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GaN基稀磁半导体材料是近年来在自旋电子学领域中受到了广泛关注的研究热点.本文介绍了我们用双能态Cr+离子注入法结合样品的快速退火工艺,在MOCVD外延生长的n型、非掺杂和p型GaN薄膜样品表面注入相同剂量的Cr+离子,得到了厚度约200nm的铁磁性GaCrN薄膜,并用XRD、SQUID和Hall法对三种样品的微结构和磁性能进行了测试分析.实验发现:GaCrN薄膜样品的饱和磁化强度与其初始载流子浓
【机 构】
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中国科学院半导体研究所材料中心,北京,100083
【出 处】
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第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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GaN基稀磁半导体材料是近年来在自旋电子学领域中受到了广泛关注的研究热点.本文介绍了我们用双能态Cr+离子注入法结合样品的快速退火工艺,在MOCVD外延生长的n型、非掺杂和p型GaN薄膜样品表面注入相同剂量的Cr+离子,得到了厚度约200nm的铁磁性GaCrN薄膜,并用XRD、SQUID和Hall法对三种样品的微结构和磁性能进行了测试分析.实验发现:GaCrN薄膜样品的饱和磁化强度与其初始载流子浓度的大小有关,n型和p型GaN样品注入Cr+离子后形成GaGrN薄膜的饱和磁化强度均显著大于非有意掺杂的样品.
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用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术,在蓝宝石衬底上生长了Al组分阶变势垒层结构的AlGaN/AlN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)结构材料.用三晶X射线衍射(TCXRD)和原子力显微镜(AFM)对材料的结构、界面特性和表面形貌进行了研究,测试结果表明该材科具有优良的晶体质量和表面形貌,GaN(0002)衍射峰的半高宽为4.56 arcmin,AFM 5μm×5μm扫描面积的表面均方根
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