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碲镉汞探测器的变温测试
碲镉汞探测器的变温测试
来源 :第十二届全国红外科学技术交流会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:show800811
【摘 要】
:
报道碲镉汞(HgCdTe)光导探测器变温测试的实施方法。重点描述了光谱响应变温测试,给出了HgCdTe器件从注氮到室温之间8-9个不同温度点测试的光谱响应曲线。并与经验公式计算结果进行对比,给出了相
【作 者】
:
程开芳
苏培超
【机 构】
:
物理研究所
【出 处】
:
第十二届全国红外科学技术交流会
【发表日期】
:
1996年期
【关键词】
:
碲镉汞探测器
光谱响应曲线
变温测试
测试误差分析
光导探测器
实施方法
公式计算
点测试
温度
室温
器件
描述
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报道碲镉汞(HgCdTe)光导探测器变温测试的实施方法。重点描述了光谱响应变温测试,给出了HgCdTe器件从注氮到室温之间8-9个不同温度点测试的光谱响应曲线。并与经验公式计算结果进行对比,给出了相应的测试误差分析。
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会议
碲镉汞材料
黑体探测率
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两步退火
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结特性
高低温
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用FTIR测量碲镉汞晶片组份X值的误差分析
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会议
测量
碲镉汞晶片
组份
均方根偏差
平均偏差
计算
分布理论
总误差
样品
统计
标准
芸豆和玉米总DNA导入大豆及后代同工酶酶谱分析
本文报道了利用花粉管通道技术 ,将芸豆、玉米的总 DNA导入大豆的实验结果及采用不连续双垂直板聚丙烯酰胺凝胶电泳法 ,对其导入后代进行过氧化物酶及多酚氧化酶的酶谱分析。
期刊
大豆
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同工酶酶谱
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大豆基因
垂直板
过氧化物酶
由透过率测量Hg Cd Te的导电类型、载流子浓度及吸收截面
会议
透过率
测量
导电类型
载流子浓度
碲镉汞寿命测量样品制备工艺过程的优化
该文试图从减小样品表面复合速度入手来优化样品制备工艺过程。实验结果表明,适当选取的工艺过程可以大大减小表面复合对测量结果的影响。
会议
碲镉汞
寿命测量
样品制备
工艺过程
表面复合速度
测量结果
小样品
优化
选取
实验
用红外透射法确定任意厚度下碲镉汞晶体的组分
该文选用组分(X=0.170-0.300)均匀碲镉汞晶片作减薄实验,即将样品的厚度从800μm逐次减去处100μm后,在室温下用红外光谱仪测量晶片在不同厚度的透射光谱。取透射比为5℅对应的
会议
碲镉汞晶体
晶体组分
红外透射法
HgCdTe长波光导探测器表面积累层的迁移率谱研究
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会议
波光导探测器
表面积累层
多电子
半导体材料
实验数据
迁移率谱
测试手段
电子对
变磁场
器件
拟合
方法
电学
电导
处理
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会议
长波光伏
碲镉汞
研制工艺
器件
测试结果
热像仪
原理
叙述
互连
峰值
成像
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