迁移率谱相关论文
用低温Ar束溅射沉积生长了ZnS介质薄膜；用低温变磁场Hall测量技术研究了Zns薄膜的沉积生长对n-HgCdTe Hall器件中HgCdTe表面、体内......
通过变磁场霍尔测量方法 ,采用由迁移率谱和多载流子拟合过程相结合的混合电导法 ,在 1 2 - 30 0K范围内 ,获得了两块分子束外延 (......
本文利用迁移率谱分析了离子束刻蚀后的碲镉汞晶体,发现180μm的p型碲镉汞晶体在刻蚀后完全转为n型,且由两个不同电学特性的电子层......
本工作研究了半金属(Semi-metal)WTe2在一系列极端条件下的电学行为.WTe2是首个拥有闭合费米面却在极高磁场下有极大不饱和正......
本文利用迁移率谱技术分析了离子束刻蚀后的碲镉汞材料,发现p型碲镉汞材料在刻蚀后完全转为n型,且由两个不同电学特性的电子层组成......
采用迁移率谱和多电子拟合过程对ＨｇＣｄＴｅ长波光导探测器表面积累层变磁场实验数据进行了处理。该方法可以将则器中体电子对电导的贡献与表......
用低温Ar束溅射沉积生长了ZnS介质薄膜；用低温变磁场Hall测量技术研究了Zns薄膜的沉积生长对n-HgCdTe Hall器件中HgCdTe表面、体内......
本论文针对碲镉汞长波探测器的要求，以制备高性能的长波碲镉汞探测器为目标，对碲镉汞弱p型长波材料、工艺及制备进行了较为深入的研......
利用脉冲YAG激光器对砷注入长波碲镉汞样品进行激光退火 ,分析不同能量密度的激光光束退火所引起的样品表面电学性质的变化。实验......
采用SDS-聚丙烯酰胺凝胶电泳技术(SDS-PAGE)和PAGE电泳技术分别对安徽不同地区的46个辣椒疫霉进行可溶性蛋白和酯酶同工酶分析,从......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
利用脉冲YAG激光器 (脉宽为 1 0ns ,波长为 1 .0 6μm)对砷注入长波碲镉汞样品进行激光退火实验 ,分析注入退火引起的样品电学性质......
通过变磁场霍尔测量方法,采用由迁移率谱和多载流子拟合过程相结合的混合电导法,在1.2-300K范围内,获得了两块分子束外延(MBE)生长......
利用YAG脉冲激光器(脉宽为10 ns,波长为1.06 μm)对砷注入长波碲镉汞样品进行激光退火,分析不同能量密度的激光光束退火所引起的样......
利用YAG脉冲激光器 (脉宽为 1 0ns ,波长为 1 .0 6μm)对砷注入长波碲镉汞样品进行激光退火 ,分析离子注入及激光退火引起的样品电......
采用气相外延技术生长Au掺杂的Hg1-xCdxTe薄膜材料,利用范德堡法对薄膜材料进行电学性能表征.通过变温霍尔测量,分析了常规Au掺杂p......
利用脉冲ＹＡＧ激光器对砷注入长波碲镉汞样品进行激光退火、分析不同能量密度的激光光束退火所引起的样品表面电学性质的变化。实验表明......
通过迁移率分析法对ＬＰＥ和ＭＢＥ生成的ｎ－ＨｇＣｄＴｅ样品进行了研究，获得了样品中体电子，体空穴以及界面电子的迁移率和浓度，通过迁移率谱人地获得的样品中体......
采用气相外延技术生长Au掺杂的Hg_（1-x）Cd_xTe薄膜材料,利用范德堡法对薄膜材料进行电学性能表征.通过变温霍尔测量,分析了常规Au掺......
采用气相外延技术生长Au掺杂的Hg1-xCdxTe薄膜材料,利用范德堡法对薄膜材料进行电学性能表征.通过变温霍尔测量,分析了常规Au掺杂p......
高质量的InAs/GaSbⅡ类超晶格(SLs)材料生长在晶格匹配的GaSb衬底上,由于GaSb衬底具有良好的导电性,传统的霍尔测量难以直接得到外......
通过迁移率谱分析法对ＬＰＥ和ＭＢＥ生长的ｎ－ＨｇＣｄＴｅ样品进行了研究，获得了样品中体电子、体空穴以及界面电子的迁移率和浓度．通过迁移率谱分析法获得的样......
在迁移率谱分析技术中,除了真实反映材料中载流子信息的峰之外,有时还会出现一些没有物理意义的多余峰,即所谓的"映像峰"。这会给......
本文利用迁移率谱技术分析了离子束刻蚀后的碲镉汞材料,发现p型碲镉汞材料在刻蚀后完全转为n型,且由两个不同电学特性的电子层组成......
详细分析了两类碲镉汞(HgCdTe)材料的磁输运特性,并以此寻找两类材料的有效筛选方法。窄禁带HgCdTe是一种电子和空穴混合导电的多......
窄禁带碲镉汞(HgCdTe)是电子和空穴混合导电的多载流子体系材料,特别是对于p材料,由于电子和空穴的迁移率相差大约两个数量级(b=μ......
详细分析了两类碲镉汞（HgCdTe）材料的磁输运特性,并以此寻找两类材料的有效筛选方法。窄禁带HgCdTe是一种电子和空穴混合导电的多载......
