导电类型相关论文
单源真空共蒸发在玻璃衬底上制备CuInS2薄膜。用X射线衍射仪(XRD)对薄膜的相结构进行表征，研究不同Cu、In、S元素配比、不同热处理......
采用螺旋波等离子体辅助射频磁控溅射技术,分别在n型和p型Si(100)衬底上制备N-Al共掺ZnO薄膜,研究了硅衬底的导电类型对结构及导电......
采用真空熟蒸发法在玻璃基片上分别蒸镀一层SnS薄膜和一层Ag薄膜,在300℃的真空炉中退火2h后,制备出SnS:Ag薄膜.通过改变银的蒸发......
半导体工业上要测量半导体的导电类型、载流子浓度．制作并改进了传统的冷热探针测半导体导电类型的实验装置,即使传统冷热探针原来......
本文对用气态蒸发法制备的S_nO_2薄膜进行了基本物理特性的研究。试样薄膜的厚度为5000,利用霍耳效应测定其载流子浓度为4.99×1......
本专利介绍一种用于测量半导体材料的导电类型的装置。该装置利用两个与光束同心排列的环形电极接通由激发产生的电压。根据被接......
利用半导体化合物制作气敏元件,近年来研究得较为活跃。但是多数是基于半导体气敏材料在与气体接触时,伴随表面吸附或化学反应,导......
应用阳极氧化技术在单晶硅片上生长一层多孔硅（ＰＳ）薄膜，用真空镀膜方法分别在其上下两面蒸发一层适当厚度的金属铝作为电极，设计了两种电......
采用不同种类质子酸对聚邻甲苯胺进行掺杂,发现质子酸的酸性、分子尺寸和氧化性均不同程度地影响其掺杂率和电导率.大分子尺寸有机......
报道了通过隧道结将衬底的导电类型从 n型转变到 p型 ,从而可以利用 n型 Ga P作为以 n型 Ga As为衬底的 Al Ga In P发光二极管的电......
一、前言由周期表中III B族的铝、镓、铟和VB族的磷、砷、锑构成的所谓A~(III)B~V型化合物,为近年来极引人注意的化合物半导体。......
本刊04/9/P29已谈到“场效应管电极质量的判别方法”,但原文仅限于 N 沟道耗尽型的场效应管,尚有 N 沟道增强型、P 沟道场效应管......
在旋转园盘电极上测定的碲化镉电沉积极化曲线,转速与沉积电流的关系,以及X射线衍射分析和表面分析,确认在比纯镉析出电位正的区域......
已知黄铁矿和方铅矿的导电性可划分为空穴导电、电子导电、离子导电和混合型导电性。在硫化物矿床中,黄铁矿和方铅矿的导电性类型......
对电阻率为 103~6 Ω.cm 的 In 掺杂 Cd0.9Zn0.1Te 晶片在 Te 气氛和 Cd/Zn 平衡蒸汽压下进行了热处理,对电阻率为 108~9 Ω.cm的......
采用射频磁控溅射技术和复合靶材的方法,在p型单晶Si衬底上制备SiC薄膜及Co掺杂SiC薄膜。在真空度为1.0×10-4Pa、温度为1 200℃条......
将高纯Cu,In和S粉末按1:0.1:1.2(原子个数比)配比混合均匀,热蒸发沉积CuInS2薄膜,再将薄膜进行热处理。研究热处理工艺对薄膜性能......
用热蒸发法和热处理制备稀土Dy掺杂金属氧化物CdO,ZnO和SnO2薄膜,研究不同Dy掺杂浓度及热处理对3种薄膜性能的影响。XRD和SEM测试......
利用热蒸发物理气相沉积法在300K的硅基底上制备了p型多晶PbSe薄膜,研究了氧敏化过程对其微观结构和电性能的影响。经XRD、XPS和SE......
本文主要介绍了使用酸腐机对硅片进行的酸腐蚀实验。通过混酸的温度和混酸中溶液的配比的改变、相同的条件下也会得到不同的腐蚀速......
西安晶体管厂试制成功的 JXRL-A 型电容式连续指示料位计,系一种广泛用于冶金、矿山、建材、化工、电力等部门的物位仪表,可连续......
用γ－Ｆｅ＿２Ｏ＿３和ＬａＦｅＯ＿３作为补偿材料制作了集成补偿式气敏元件，气敏特性的测试结果表明，集成元件的特性与补偿材料、工作条件密切相关。
The integr......
用电子束加热真空蒸发法（ＥＢＶ法）制备了厚度为３５０ｎｍ的ＺｎＩｎ２Ｓ４薄膜。研究了最佳成膜工艺条件和最新电子能谱分析结果；通过不同气氛处理可以控制材料的导......
采用直流反应磁控溅射的方法 ,在Al Si(1 0 0 )衬底上沉积了ZnO晶体薄膜。利用Al和Pt作为与ZnO接触的欧姆电极与肖特基电极 ,制作......
继Y-Ba-Cu-O之后,具有更高T_5的Bi-Sr-Ca-Cu-O(简称BSCCO)体系的发现引起了人们对高温超导研究的兴趣。研究表明,在BSCCO中存在11......
利用射频磁控溅射在石英衬底上生长出铟磷共掺氧化锌薄膜(ZnO:In,P),所用靶材为掺杂五氧化二磷(P2O5)和氧化铟(In2O3)的氧化锌(ZnO......
利用气相输运方法,在(111)面硅衬底上制备了名义上原子数分数为2%的Li掺杂的ZnO纳米棒(样品A)。作为比较,我们在相同的生长条件下......
用~(60)Co γ辐照对3种导电类型(P、N、SI)和不同掺杂浓度的InP晶体进行辐照,辐照剂量分别为10~3GY,10~4GY,10~5GY。在室温下测量......
结合化学水浴法和真空电子束热蒸发法在玻璃衬底上制备了含有不同厚度Pr掺杂层的CdS多晶薄膜,并对薄膜的结构、表面形貌和光电特性......
本文概述了酞菁类聚合物的类型、结构及其特性。
This article summarizes the type, structure and properties of phthalocyani......
近年来,在高阻外延时,发现一种所谓“自隔离”的现象,即用自产的纯SiCl_4,不掺杂或轻微掺杂时,外延之后,测量两埋层岛之间有隔离现......
利用反应磁控溅射法制备了半导体锡锑氧化物薄膜(TAO).根据霍尔效应测试结果,当Sn/Sb原子比处于0.22～0.33范围内时,TAO薄膜是p型导......
应用光学、电学、质谱和谐振技术,发现非掺杂的体GaAs样品中锰和铁的本底浓度为(?)10~(15)cm~(-3),当加热时进行再分布,于近表面区......
最近报导,在300K条件下,长年露天存放的Cd_xHg_(1-x)Te体材料特性的变化,可以用间隙—空位浓度梯度的存在所引起的Hg的横向扩散或......
在半导体上同时形成基区和发射区的双极型晶体管的制造方法为:在第一导电类型(如 n 型)的半导体表面上涂复一层第一导电类型的掺......
本文介绍了(?)C—V 技术应用于光电阴极发射机理的研究。在高真空中制成了〔Cs〕(Na,K)_3 Sb 多碱光电阴极的 MVS 样品,并对其导电......
本文研究了低能(200～450千电子伏)质子轰击对P型Ph_(0.76)Sn_(0.24)Te的影响。通常发现轰击降低了载流子浓度。观察到自P到n型的载......
该发明是在同一基底上形成数个 PNP 和NPN 型相反导电类型的晶体管集成电路的制造方法。采用原来的多重扩散法要获得所需形状的结......
图面的简单说明: 图1至图5是本发明希望实施的平面图,电路图以及图1中沿aa,bb和箭头符号方向的剖面图。 发明的详细说明: 本发......
本文论述了表面状态和外电场对不同导电类型光电阴极的作用,给出了相应的关系式并进行了讨论。
This paper discusses the effect......
