【摘 要】
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氧化锌量子点(ZnO Quantum Dots)是一种三维尺寸极小的宽禁带直接带隙半导体材料，具有无毒无重金属等突出优点，其室温下即可容易实现的紫外发光对显示技术的研究具有重要意义。但采用化学溶液法制备的ZnO QDs 由于在生长过程中存在大量缺陷，导致其紫外发光性质不甚理想。这些缺陷主要为ZnO 的本征点缺陷，极大限制了ZnO QDs 的本征紫外发光效率。为了解决纯ZnO QDs 发光的高效率、
【机 构】
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东南大学信息显示与可视化国际合作联合实验,江苏南京,210096
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氧化锌量子点(ZnO Quantum Dots)是一种三维尺寸极小的宽禁带直接带隙半导体材料，具有无毒无重金属等突出优点，其室温下即可容易实现的紫外发光对显示技术的研究具有重要意义。但采用化学溶液法制备的ZnO QDs 由于在生长过程中存在大量缺陷，导致其紫外发光性质不甚理想。这些缺陷主要为ZnO 的本征点缺陷，极大限制了ZnO QDs 的本征紫外发光效率。为了解决纯ZnO QDs 发光的高效率、高色彩饱和度以及单色性等问题，很多学者使用宽禁带的氧化硅(SiO2)、硫化锌(ZnS)、氧化铝(Al2O3)等对ZnO QDs 进行包层。在这里，我们采用氧化镁(MgO)对QDs 进行包壳，引入势垒限制，钝化QDs 表面的缺陷，提高QDs 的量子效应。
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