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本文报道了一种具有高可靠性的集成a-Si：H TFT栅极驱动电路。该电路将低电平维持TFT偏置于较低的电压，减小a-Si：H TFT的阈值电压漂移。实验和模拟分析结果表明这种栅极驱动电路有10年以上的寿命，且能够在-20℃到80℃之间正常地工作。
一种高可靠性的a-Si:H TFT栅极驱动电路
【摘 要】
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本文报道了一种具有高可靠性的集成a-Si：H TFT栅极驱动电路。该电路将低电平维持TFT偏置于较低的电压，减小a-Si：H TFT的阈值电压漂移。实验和模拟分析结果表明这种栅极驱动
【机 构】
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北京大学深圳研究生院 广东 深圳 518055
【出 处】
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2012中国平板显示学术会议
【发表日期】
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2012年期
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