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SiC<,W>/Al<,2>O<,3>复合材料残余应力分析
SiC<,W>/Al<,2>O<,3>复合材料残余应力分析
来源 :第十一届全国高技术陶瓷学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:dota_dk
【摘 要】
:
利用Eshelby模型计算了碳化硅晶须补强氧化铝复合材料中的晶须含量材料中的晶须含量对残余应力的影响,与X-ray衍射测量的数据行比较,两者结果非常接近,随着昌须含量的增加,基体Al
【作 者】
:
彭晓峰
张玉峰
黄校先
【机 构】
:
中国科学院上海硅酸盐研究所(上海)
【出 处】
:
第十一届全国高技术陶瓷学术年会
【发表日期】
:
2000年期
【关键词】
:
铝复合材料
碳化硅晶须
残余应力
含量
应力增加
衍射测量
强氧化
数据
模型
计算
基体
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利用Eshelby模型计算了碳化硅晶须补强氧化铝复合材料中的晶须含量材料中的晶须含量对残余应力的影响,与X-ray衍射测量的数据行比较,两者结果非常接近,随着昌须含量的增加,基体Al<,2>O<,3>中残余张应力增加,而碳化硅晶须中的残余应力降低。
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