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用扩展电阻、二次离子质谱和光致发光等方法,测量了SIMOX样品的结构、电特性和杂质分布.研制了注氧和退火过程中对顶层硅层的沾污情况,说明了SIMOX材料顶部硅层的缺陷和残余氧等杂质的施主作用.要制作适合器件需要的SOI材料,必须控制工艺过程中顶部硅层的杂质污染和损伤.
SIMOX材料制作及其结构、电特性与杂质分析
【摘 要】
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用扩展电阻、二次离子质谱和光致发光等方法,测量了SIMOX样品的结构、电特性和杂质分布.研制了注氧和退火过程中对顶层硅层的沾污情况,说明了SIMOX材料顶部硅层的缺陷和残余氧等杂质的施主作用.要制作适合器件需要的SOI材料,必须控制工艺过程中顶部硅层的杂质污染和损伤.
【作 者】
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【机 构】
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北京师范大学射线束技术与材料改性教育部重点实验室 北京大学微电子所(北京)
【出 处】
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中国电子学会第七届学术年会
【发表日期】
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2001年6期
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