【摘 要】
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大失配异质结构的外延往往会导致SK生长模式的自组织量子点,而生长温度往往对量子点的密度产生很大的影响.为此,我们特意用MBE生长了极低温度下大失配的InGaAs/GaAs外延.结果
【机 构】
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中科院半导体研究所新材料部(北京)
【出 处】
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第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
论文部分内容阅读
大失配异质结构的外延往往会导致SK生长模式的自组织量子点,而生长温度往往对量子点的密度产生很大的影响.为此,我们特意用MBE生长了极低温度下大失配的In<,0.35>Ga<,0.65>As/GaAs外延.结果发现,远远超过In<,0.35>Ga<,0.65>As/GaAs临界厚度(11ML)的In<,0.35>Ga<,0.65>As(14ML)在很低的温度下(460℃)并没有形成量子点.通过原子力显微镜(AFM)的观测,我们发现,沉积的In<,0.35>Ga<,0.65>As形成了单原子层的台阶状生长,每个台阶的高度几乎都接近In<,0.35>Ga<,0.65>As的晶格常数5.8A的一半,即一个原子单层.我们认为单层生长而非SK生长主要是由于极低温度下形成量子点的驱动力不够,即SK生长模式下量子点的形成不仅仅是一个动力学过程也是一个热力学的平衡过程,SK自组织量子点形成需要的驱动力来源于两个方面:晶格失配内应力和生长温度产生的外应力.二者之和最终决定量子点的形成.
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