【摘 要】
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本文建立了中子位移效应、总剂量效应以及总剂量和位移综合辐射效应的数值模拟方法,运用半导体仿真工具TCAD,通过同时改变少数载流子寿命、表面复合速度以及在SiO2钝化层中添
【机 构】
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西北核技术研究所 强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室,陕西西安710024
【出 处】
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第一届全国辐射物理学术交流会(CRPS`2014)
论文部分内容阅读
本文建立了中子位移效应、总剂量效应以及总剂量和位移综合辐射效应的数值模拟方法,运用半导体仿真工具TCAD,通过同时改变少数载流子寿命、表面复合速度以及在SiO2钝化层中添加电荷陷阱,完成了对中子和γ综合辐射环境下横向PNP晶体管总剂量和位移综合辐射效应的数值模拟.研究结果表明,总剂量效应会加剧横向PNP晶体管的中子位移损伤,引起更显著的增益退化.
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