【摘 要】
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本研究采用磁控溅射方法分别沉积CdS窗口层和CdTe吸收层薄膜。室温溅射沉积时通过在载气中掺入适量的氧气,发现不仅窗口层的带隙得到提高,而且CdS层的覆盖更均匀,降低了CdS和CdT
【机 构】
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中国科学院电工研究所 100190
【出 处】
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第十四届中国光伏大会暨2014中国国际光伏展览会
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本研究采用磁控溅射方法分别沉积CdS窗口层和CdTe吸收层薄膜。室温溅射沉积时通过在载气中掺入适量的氧气,发现不仅窗口层的带隙得到提高,而且CdS层的覆盖更均匀,降低了CdS和CdTe的互扩散,这些都有效降低了CdTe吸收层与TCO层直接接触形成弱二极管的可能性。而在CdTe吸收层中,通过EBSD分析发现了晶粒中存在大量的E3孪晶。同时,导电原子力显微镜(CAFM)分析发现可明显观察到孪晶的晶粒是电流传输的主要通道,特别是在孪晶的晶界附近。而电池断面的EBSD扫描发现,晶界和薄膜中的孔隙表面不仅不是载流子陷阱,反而载流子收集比晶粒内部更好。经在窗口层和吸收层的沉积、退火工艺优化,中科院电工所制备的CdTe薄膜电池的转化效率与2014年达到了14.4%。
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