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本文采用化学还原工艺成功地制备了LN和LT黑色晶片.在这些黑色晶片上制作了中心频率分别为36 MHz和446 MHz的SAW器件.研究表明,黑片工艺显著降低了晶片表面的静电,增加了近紫外光吸收,而其他性能不受任何影响,使SAW器件的终测合格率提高了5-10％.
黑色LiNbO3和LiTaO3晶片SAW器件研究
【摘 要】
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本文采用化学还原工艺成功地制备了LN和LT黑色晶片.在这些黑色晶片上制作了中心频率分别为36 MHz和446 MHz的SAW器件.研究表明,黑片工艺显著降低了晶片表面的静电,增加了近紫
【机 构】
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中电科技德清华莹电子有限公司,浙江德清,313216
【出 处】
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2006和谐开发中国西部声学学术会议
【发表日期】
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2006年8期
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