【摘 要】
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本文采用溶胶-凝胶方法成功的在Si和石英衬底上制备了MgZnO合金薄膜.研究表明为保持ZnO六角结构,Mg离子的最大掺杂浓度为x=0.36,合金薄膜的禁带宽度可以在3.4eV和3.93eV之间调节,其光致发光峰也随之向短波长移动.
【机 构】
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中国科学院激发态物理开放研究实验室,中国科学院长春光学精密机械与物理研究所(长春)
【出 处】
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第四届中国功能材料及其应用学术会议
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本文采用溶胶-凝胶方法成功的在Si和石英衬底上制备了Mg<,x>Zn<,1-x>O合金薄膜.研究表明为保持ZnO六角结构,Mg<2+>离子的最大掺杂浓度为x=0.36,合金薄膜的禁带宽度可以在3.4eV和3.93eV之间调节,其光致发光峰也随之向短波长移动.
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