【摘 要】
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InAlN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)作为高功率、高频器件被广泛关注。用InAlN层来替代AlGaN/GaN结构中AlGaN势垒层,HEMTs将提供更高浓度的电荷,这是由于InAlN比AlGaN具
【机 构】
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北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京,100871
【出 处】
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
论文部分内容阅读
InAlN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)作为高功率、高频器件被广泛关注。用InAlN层来替代AlGaN/GaN结构中AlGaN势垒层,HEMTs将提供更高浓度的电荷,这是由于InAlN比AlGaN具有更大的自发极化。InxAl1-xN合金一个重要的特性是在铟组分大约为17％时,它可以与GaN晶格匹配。对于晶格匹配的In0.17Al0.83N/GaN结构,在异质结界面处有最小的应力。因此，InAlN/GaN在器件运用方面有很广阔的前景。但是，InAlN材料体系中还有很多基本性质有待研究，比如InAlN材料体系中的深能级特性。之前有文献报道发现晶格匹配的InAlN/GaN异质结构中存在深能级，但是很少有文献报道有关应力对深能级的影响，本文着重研究由晶格不匹配引起的应力对深能级的影响。
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