硅材料线切割表面损伤的研究

来源 :1998年中国材料研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:sevinlee
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该文利用台阶仪、扫描电镜(SEM)和X射线双晶衍射仪,研究了线切割硅片和内圆切割硅片的表面切割损伤和损伤层厚度。实验指出线切割硅片表面粗糙度大,外表面损伤大,但损伤层的厚度要小于常规内圆切割硅片。该文还讨论了影响线切割硅片表面损伤的可能原因。
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