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硅材料线切割表面损伤的研究
硅材料线切割表面损伤的研究
来源 :1998年中国材料研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:sevinlee
【摘 要】
:
该文利用台阶仪、扫描电镜(SEM)和X射线双晶衍射仪,研究了线切割硅片和内圆切割硅片的表面切割损伤和损伤层厚度。实验指出线切割硅片表面粗糙度大,外表面损伤大,但损伤层的厚度要小于
【作 者】
:
樊瑞新
阙端麟
【机 构】
:
大学硅材料国家重点实验室(杭州)
【出 处】
:
1998年中国材料研讨会
【发表日期】
:
1998年期
【关键词】
:
硅材料
线切割
表面损伤
硅片
损伤层
双晶衍射仪
表面粗糙度
扫描电镜
内圆
可能原因
层厚度
表面切割
台阶仪
X射线
实验
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该文利用台阶仪、扫描电镜(SEM)和X射线双晶衍射仪,研究了线切割硅片和内圆切割硅片的表面切割损伤和损伤层厚度。实验指出线切割硅片表面粗糙度大,外表面损伤大,但损伤层的厚度要小于常规内圆切割硅片。该文还讨论了影响线切割硅片表面损伤的可能原因。
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