Half Metallic Bilayer Graphene

来源 :中国物理学会2013年秋季学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:chm200630990203
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硅材料在半导体产业中具有广阔的应用前景和市场价值.但是,由于硅作为间接带隙半导体材料,其本征跃迁发光效率很低.如果可以提高硅基材料的发光效率——尤其是1.5 μm 附近的光通信波段的发光效率,则对于光互连与光集成都起到积极的作用.
自发现以来[1],高温超导电性问题经过了20多年的实验和理论研究的积累,目前在理论、实验、模拟上都处于研究汇总和研究方向转变的时期。尽管人们己经对高温铜氧化物超导体进行了大量的研究,但是最基本的一些物理问题依然没有得到明确的结论。
会议
单空穴在反铁磁背景中动力学行为是强关联物理中的重要问题,对单个掺杂粒子的研究可以有助于我们理解有限掺杂的莫特绝缘体引发的高温超导现象。
我们合成并系统研究了Yb2Ni12P7 和Yb2Ni12As7 化合物的电子价态及其物理性质。分别采用固相反应法和助熔剂法生长了高质量多晶和单晶样品,同时对样品的结构、组分、输运、磁性和比热性质进行了表征。
We investigate the electronic band structure and transport properties in bilayer graphene superlattices of Thue-Morse sequence using transfer matrix method.
In the past few years cold atom optical lattices,defined from counter-propagating lasers,have become an important technique to realize various models in condensed matter physics.