【摘 要】
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以胶体二氧化硅作硅源,Ce(NO3)3·6H2O、HMT混合溶液作壳层前驱体,采用均相沉淀工艺制备了出壳核结构完整的CeO2/SiO2复合磨粒.所制备的复合磨粒为壳-核包覆结构完整的纳米微球,粒径约110nm,核层为无定形SiO2,壳层为立方萤石型CeO2颗粒;磨粒在酸性环境中易团聚,碱性环境中分散性良好,其中pH10-pH12最优.研究了SiO2磨料和CeO2/SiO2复合磨粒在6H-SiC(0
【机 构】
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江南大学机械工程学院,江苏,无锡214122
【出 处】
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2016年中国(国际)光整加工技术及表面工程学术会议暨2016年中国光整加工技术产学研协调发展论坛
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以胶体二氧化硅作硅源,Ce(NO3)3·6H2O、HMT混合溶液作壳层前驱体,采用均相沉淀工艺制备了出壳核结构完整的CeO2/SiO2复合磨粒.所制备的复合磨粒为壳-核包覆结构完整的纳米微球,粒径约110nm,核层为无定形SiO2,壳层为立方萤石型CeO2颗粒;磨粒在酸性环境中易团聚,碱性环境中分散性良好,其中pH10-pH12最优.研究了SiO2磨料和CeO2/SiO2复合磨粒在6H-SiC(0001)单晶片化学机械抛光性能中的差异.在高锰酸钾强酸溶液中,CeO2/SiO2复合磨粒的材料去除率远高于SiO2磨粒,且能获得原子级表面平整度.
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