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采用了蒸镀氧化硼的方法,确保了激光掺杂时硼源的均匀性,之后进行激光掺杂.在激光功率不变的情况下,氧化硼薄膜的厚度决定了掺杂后硅片的平均方阻.掺杂后p-n结的结深为1.2～1.5um.退火能有效的降低硅片的方阻,提高方阻的均匀性,氧化去富硼层则会一定程度上增大方阻,减小方阻的均匀性.
N型硅基底的全发射极激光掺杂及后续退火和去富硼层
【摘 要】
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采用了蒸镀氧化硼的方法,确保了激光掺杂时硼源的均匀性,之后进行激光掺杂.在激光功率不变的情况下,氧化硼薄膜的厚度决定了掺杂后硅片的平均方阻.掺杂后p-n结的结深为1.2～1.5
【机 构】
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中山大学太阳能系统研究所,广东省光伏技术重点实验室,广州510006
【出 处】
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第13届中国光伏大会
【发表日期】
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2013年期
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