cBN电光张量的测量

来源 :第十八届全国半导体物理学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:kuanaiTTA
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
  用cBN晶体进行电光调制能够实现短波长和高光强调制,所以有必要对cBN晶体的电光张量进行测量。把cBN晶体加工成长方体进行电光张量的测量比较方便而又准确,而cBN晶体的硬度仅次于金刚石,目前人工合成的cBN晶体的尺寸普遍很小,把cBN晶体加工成长方体进行电光张量的测量有相当大的难度,对测量技术进行了概述。
其他文献
  零维结构的量子点,能够在三个生长方向限制电子或空穴,具有独特的光学和电学性质,因此被广泛应用于激光器、探测器以及存储器的研究中。相对于研究较为成熟的一型异质结
  在本文中,主要探讨在结构材料中引入AlGaN:In插入层对多量子阱发光的影响。采用适当厚度的AlGaN: In插入层可提升表面与界面的平整度,提高其上外延层的晶体质量、组分均一性
推动汽车电动化不但对环境产生直接的正面影响,也为能源系统清洁转型带来重大契机.我国电动汽车推广历程可分为2009-2012和2012-2015两期,分别为“节能与新能源汽车示范推广
期刊
直播营销正在以惊人的速度影响各个产业,图书行业的推广活动也在其影响下有了新的趋势和状态.童书类产品本身具有灵活性的特点,在新型营销形势下更具配适性,也更容易产生优质
  由于InN的发光波长可以延伸到长波长通讯波段,使得InN材料在光纤通讯系统中使用的激光器和光二极管上具有潜在的应用价值,有可能为光通信器件的发展带来新的突破。在MOCVD
  采用等离子体辅助分子束外延(PA-MBE)技术制备InN薄膜。为了缓解晶格失配所带来的应力及非故意生成的多晶层影响,在衬底和低温InN缓冲层之间加入一层不同厚度的金属In插入
我们对河南省郑州市市区内588名儿童血铅水平进行了调查,血铅范围在5.79×103———3.81umoI/L,均值为0.65umoI/L,血铅≥0.48umoI/L315例占53.57%,血铅≥0.48umol/L者对儿童身高、体重有明显的影响,这次研究为有关部门防治环境污染提供了依据
随着世情、国情的变化,当今企业政工管理的环境和形势也发生了变化,加之企业员工思想正呈现出复杂化、多样化的特征和趋势,企业政工管理面临着严峻的难题和挑战.在这种形势下
  利用各种纳米结构光伏材料设计和制作的太阳电池将是未来第三代太阳电池的有力竞争者,本文依据零维量子点材料所具有的各种新颖光伏性质,提出了两种结构组态的量子点太阳电
  综述了GaN基垂直结构LED载流子局域效应对光强平面分布的影响,本文中VSLED采用Au-Au键合技术将LED外延片和Si片进行键合,之后用MALLO-5000微区激光剥离机剥离蓝宝石得到。