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CdZnTe是一种性能优异的直接禁带半导体材料,具有直接跃迁能带结构的功能,改变Zn的百分比x,会有不同的用途。它具有如下优异性能：对X、γ射线具有较高的探测效率,能量分辨率很高,在室温下就可以正常工作。
利用I-V和C-V法判定MOS结构CdZnTe的导电类型及参数
【摘 要】
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CdZnTe是一种性能优异的直接禁带半导体材料,具有直接跃迁能带结构的功能,改变Zn的百分比x,会有不同的用途。它具有如下优异性能：对X、γ射线具有较高的探测效率,能量分辨率很高,在室温下就可以正常工作。
【机 构】
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上海大学 材料科学与工程学院
【出 处】
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第十五届全国固体薄膜学术会议
【发表日期】
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2016年5期
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