【摘 要】
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用注氧隔离法在单晶硅衬底中形成SiO2 隔离层，制备成SOI衬底，用快速化学汽相沉积（RTCVD）法在此衬底上制备硅薄膜，热扩散形成PN 结制备太阳电池。电池电极采用四周型和叉指型两种类型全部由正面引出。理论分析计算了两种电极引出的电池的串联电阻；并给出了实际电池的I-V 测试结果，比较了光谱响应的结果。表明叉指型电极引出方式制备的电池性能比四周型的略好。
【机 构】
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中国科学院半导体研究所,北京100083;北京市太阳能研究所,北京100083 北京市太阳能研究所
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用注氧隔离法在单晶硅衬底中形成SiO2 隔离层，制备成SOI衬底，用快速化学汽相沉积（RTCVD）法在此衬底上制备硅薄膜，热扩散形成PN 结制备太阳电池。电池电极采用四周型和叉指型两种类型全部由正面引出。理论分析计算了两种电极引出的电池的串联电阻；并给出了实际电池的I-V 测试结果，比较了光谱响应的结果。表明叉指型电极引出方式制备的电池性能比四周型的略好。
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