【摘 要】
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本文基于分子动力学模拟了纳米铜单晶薄膜的纳米压痕过程。采用Morse势来描述原子间相互作用。研究了温度和加载速率对纳米压痕过程的影响。结果表明：晶体中位错的滑移是
【机 构】
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西南交通大学力学与工程学院,四川成都610031
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本文基于分子动力学模拟了纳米铜单晶薄膜的纳米压痕过程。采用Morse势来描述原子间相互作用。研究了温度和加载速率对纳米压痕过程的影响。结果表明：晶体中位错的滑移是导致感应力下降的原因。随着温度的升高，材料出现软化效应，纳米压痕曲线中的波动性增强。随着加载速率的提高，材料出现硬化效应，纳米压痕曲线中的波动性减弱。
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