铜薄膜相关论文
随着信息技术的快速发展,高功率的电磁辐射造成的环境污染问题引起人们的广泛关切。现有的屏蔽体材料（金属板）存在着比重大、柔性差......
运用分子动力学方法建立了溅射沉积铜薄膜外延生长的三维模型,铜原子间作用势函数采用Finnis-Sinclair型原子镶嵌法(EAM)势函数;沉......
生长的铜薄膜普遍形成孪晶.运用分子动力学模拟方法对这种孪晶形成的原子机理进行了研究.所用原子间作用势函数为Finnis-Sinclair......
在稀薄氧压下，用电子束蒸发的方法在铝酸镧(LaAlO3)基片上沉积制备纳尺度的铜薄膜。基于超微量天平对沉积质量的精确测量，以及IC......
提出一种采用铜薄膜作牺牲层去除负性光刻胶残胶的方法,利用铜薄膜在湿法腐蚀过程中的侧蚀现象,将基底的平均残胶量从13.4个/mm2减......
气敏材料是气体(化学)传感器的核心部位[1]，卟啉及金属卟啉具有良好的气敏性能。在国内外卟啉及金属卟啉传感器用于VOCs的检测[......
我们通过一种绿色，温和的方法在室温下制备氧化铜薄膜作为空穴传输层用于有机太阳能电池。氧化铜薄膜可以通过在空气中简单地旋......
在自行设计、建立的MOCVD系统上,以Cu(hfac)2为反应前驱物在单晶硅上进行铜薄膜的化学气相沉积,并用AFM、SEM对铜核的成长机理进行......
采用直流磁控溅射法在玄武岩纤维表面沉积纳米Cu薄膜,工作气体为氩气,利用原子力显微镜(AFM)和扫描电子显微镜(SEM)观察Cu薄膜在纤......
采用分离式拟质点多尺度分析方法对含表面缺陷的单晶铜薄膜纳米压痕进行了模拟研究.分别讨论了缺陷与压头的距离取四种不同数值时,......
本研究针对25um厚纯铜薄膜，对不同样度的疲劳损伤试件采用准分子激光器进行激光表面损伤愈合处理研究。查明了能量密度，脉冲个数对激......
采用X射线衍射仪(XRD)和俄歇电子能谱仪(AES)研究了铜薄膜的晶体学取向和Ta扩散阻挡层的阻挡效果.结果表明,Ta阻挡层能够促使铜薄......
本文研究了利用X射线衍射方法分析了电沉积铜薄膜的内应力及其织构特征.结果表明,随薄膜厚度的增加,薄膜内应力增大;当厚度超过10 ......
The technique of surface acoustic waves (SAWs) is a very promising method for determining film properties such as Young......
目前，多晶铜薄膜材料在MEMS(micro-electro-mechanical system)元器件中得到了广泛的应用。然而，由于铜薄膜在使用过程中常因承受循......
据统计，80％以上的断裂事故都是由金属疲劳引起的，其中，广泛使用的多晶铜薄膜的疲劳问题已成为制约其在MEMS器件中长期服役可靠性的主要......
铜薄膜广泛地应用于一些大规模集成电路和微电子机械系统中。由于在服役过程中常常受到循环应力的作用而失效甚至破坏，导致较大的经......
铜薄膜广泛应用于微机电系统和大规模集成电路中。在使用过程中常常因为受到循环应力的作用而破坏,因此其失效及可靠性问题至关重......
近些年来，金属基以及硅基的微小构件的尺寸已明显趋向于微米甚至纳米。由于这些小尺寸材料在制备过程中以及随后的服役过程中受到循......
多晶铜薄膜材料在MEMS器件中得到了广泛应用，其疲劳强度已成为制约MEMS器件长期服役可靠性的因素之一。此前，已有一些学者从不同角度......
由于激光表面处理具有局部快速加热和冷却、可选择性局部处理等优点，近年来，激光表面处理对疲劳性能的影响已经被广泛研究。多晶铜薄......
21世纪以来,随着能源、信息、环境、生物技术以及国防工业的迅猛发展,对纳米薄膜科学领域的研究也不断深入。在微机电系统(MEMS)中......
探索廉价清洁的光伏材料、尝试新的太阳能电池栅线制备工艺，对于提高太阳能电池效率、降低生产成本有重要影响。电化学沉积法工艺简......
热导率是体材料的一个固有特性，而对于薄膜材料的热导率却是一个几何参数—厚度的函数，这就是所谓的微尺度效应。本文采用数值模拟的......
金属薄膜在MEMS设备制造,航空航天,半导体加工等众多领域均有广泛的应用。在金属薄膜上制作微结构的方法很多,本文针对使用激光直......
纳米尺度金属薄膜广泛应用于集成电路芯片、柔性电子器件以及各种微纳智能系统中，其在各种机械加载及多物理场耦合作用下的服役可靠......
用射频磁控溅射方法在铜基体上溅射制备了金属铜、镍薄膜，利用AFM、XRD对铜、镍薄膜进行了结构表征，利用带SEM的三点弯曲实验装置进......
随着微电子芯片不断的高密度集成,芯片中金属互连布线的特征尺度已经进入亚微米甚至纳米量级。铜薄膜由于具有良好的导电性和抗电......
本文建立了亚单层铜薄膜生长和多层铜薄膜生长的三维动力学蒙特卡罗模型，用动力学蒙特卡罗方法对亚单层和多层铜薄膜的生长过程进行......
在当代高科技领域,薄膜科学有着极其重要的应用,许多新材料和新器件的开发都是从制备薄膜开始的.薄膜应力是薄膜生产、制备中的一......
本论文采用电化学沉积法在不同pH值条件预先在Cu箔表面沉积制备一层Cu2O薄膜,随后将Cu箔具有Cu2O一侧与Al2O3陶瓷紧密结合,并在N2......
本论文主要工作分为两个方面：1、制备了二大系列有机膦稳定的金属有机铜（I）、银（I）配合物，对得到的配合物分别用IR、1H NMR、13C{H} NMR......
该工作主要是自行设计、组建、调试了一套MOCVD系统,并且对整套装置进行了三次较大的改进,第一次主要集中在输送线路的改进;第二次......
学位
随着微电子领域的快速发展,用于集成电路中器件互连的铜薄膜要求具有无缺陷并且高纯度等特征。本文介绍了利用化学气相沉积技术与......
在自行设计、建立的MOCVD系统上,以Cu(hfac)2为反应前驱物在单晶硅上进行铜薄膜的化学气相沉积,并用AFM、SEM对铜核的成长机理进行......
通过对PLD技术中的等离子体的产生及传播理论的分析，对等离子体的传播规律及基片平面上粒子浓度、速度的分布进行了模拟研究；讨论了P......
相对一致的铋铜电影是 electrodeposited 在之间 ? 15 并且 ? 在包含 4 mmol/L 铋离子和 2 mmol/L 铜的硫酸盐电解质的 20 mV 离子......
ZnO films, doped with 2.9 atom% Cu, were prepared by radio frequency magnetron sputtering on sapphire substrate at diffe......
在北京同步辐射实验室XAFS实验站上建立了利用全电子产额方法探测XAFS的实验方法。通过测量单色X－射线在样品表面激发出的电子产额......
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基于密度泛函理论,应用第一性原理分子动力学方法具体包括SMD和FMD方法,分别研究了锂离子在不同薄膜厚度中的扩散势垒及粒子的均方......
采用PVD和CVD技术制备Cu/TiN/PI试样.研究表明,TiN薄膜可以有效地阻挡Cu向PI基板内部扩散.CVD工艺制备的Cu膜内部残余应力很小,Cu......
日本三井金属公司开发了刻蚀铜薄膜的新技术。此技术采用新型铜薄膜的刻蚀液，保证垂直刻蚀。因而铜线宽度可设计成比以前宽度窄1／3，即......
Copper nitride film (Cu3N) and La-doped copper nitride films (LaxCu3N) were prepared on glass substrates by reactive mag......
为研究微电子器件中薄膜的'超常'传热行为,基于等温线性响应理论(LRT)和嵌入原子法(EAM)势函数,采用均质非平衡态分子动力......
基于薄膜/基体界面结合强度对膜基体系的使用效果有直接影响,采用压痕法测定了1Cr18Ni9Ti钢基材表面物理气相沉积铜薄膜的界面结合......
