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采用低压MOCVD技术,研究了选择区域外延(SAG)和对接生长(BJ)技术。掩模宽度、闻距和生长条件对波长偏移量和材料质量的影响具有一定的规律,灵活运用SAG和BJ技术是实现单片光电子集成器件的关键。
MOCVD选择区域外延和对接生长研究
【摘 要】
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采用低压MOCVD技术,研究了选择区域外延(SAG)和对接生长(BJ)技术。掩模宽度、闻距和生长条件对波长偏移量和材料质量的影响具有一定的规律,灵活运用SAG和BJ技术是实现单片光
【机 构】
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中国科学院半导体研究所材料科学重点实验室,北京 100083
【出 处】
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第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
【发表日期】
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2010年期
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