MOCVD技术相关论文
作者们利用MOCVD生长技术在GaAs(100)衬底上生长了高质量的立方相AlGaN薄膜。通过光致发光(PL)、扫描电镜(SEM)分析了不同NH流量、......
介绍了用于MOCVD尾气中氨气的回收系统。该系统采用吸附和冷冻的方式回收MOCVD尾气中的氨气，然后经精馏提纯后，再循环利用。主要......
采用低压MOCVD技术,研究了选择区域外延(SAG)和对接生长(BJ)技术。掩模宽度、闻距和生长条件对波长偏移量和材料质量的影响具有一......
以GaN为代表的第三代宽禁带化合物半导体材料因其显著优点是目前世界上最先进的半导体材料,广泛应用于蓝、绿光发光器件领域。MOCV......
本论文围绕GaN基HEMT材料与器件，开展了MOCVD设备研制、GaN材料生长、HEMT新结构设计三个方面的研究。首先介绍了自主研制可生长3-8......
为减小AlGaInP发光二极管在大电流下异质结限制层载流子泄漏,提高AlGaInP发光二极管的高温特性.通过沈光地教授提出的隧道再生多发......
白光LED具有高效节能、绿色环保、体积小和寿命长等优点被誉为继白炽灯、荧光灯、气体放电灯之后的第四代照明光源。 目前，市场......
ZnO-TCO(TCO: transparent conductive oxides)薄膜以其良好的光电性能被广泛应用于硅基薄膜太阳电池。金属有机化学气相沉积技术(......
ZnO是一种n型直接带隙半导体材料，室温下禁带宽度Eg为3.37 eV。由于其原材料丰富且无毒，具有高电导和高透过率，并且在H等离子体环境中......
随着社会的发展,科技的进步,半导体材料在现代科技革命中扮演着极其重要的角色。作为第三代半导体材料的代表,氮化镓(GaN)和其它氮......
传统的太阳电池透明导电电极通常采用ITO或FTO,原料含量稀少、价格高且有毒,严重制约了太阳能电池的发展。氧化锌基透明导电薄膜具......
为充分利用太阳光，宽光谱高效率叠层薄膜太阳电池被成为研究重点。而作为电池第一窗口层的前电极TCO材料，也自然要求在较宽波长范围......
以稀土钡铜氧超导体作为涂层制备出来的高温超导长带是目前最具大规模应用前景的超导材料.该带材也被称为第二代高温超导带材.目前......
会议
该文在简单介绍CVD、MOCVD技术发展及其研究概况以及制备MoC膜的意义之后,着重介绍了研究人员有用MOCVD工艺技术制备MoC膜的过程、......
东莞市中镓半导体科技有限公司总部设于广东东莞,以北京大学宽禁带半导体研究中心为技术依托,并于2009年成功引进该研究中心为我公......
本文用ＭＯＣＶＤ技术制备了Ｚ＿ｎＳ：Ｍ＿ｎ交流电致发光（ＡＣＥＬ）薄膜，用转靶衍射仪测量薄膜的Ｘ射线衍射谱，首次用二次离子质谱系统分析在薄膜中的分布，并对曲线的起伏给......
通过外延层剥离技术获得GaAs薄膜太阳电池样品，实验对比了正向和反向外延结构方法。解释了现有技术条件下。采用新颖的反向外延结构......
采用常压ＭＯＣＶＤ技术在（１００）硅衬底上生长了具有（１００）及（００１）取各的钛酸铋（Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２）薄膜。在适当的生长条件下可获得（１００）取向膜，在７５０－８００℃下退火可获得（００１）择优取向膜。通过观察Ｐ－Ｅ电......
范教授是国内最先从事氮化镓蓝色LED发光材料研究和MOCVD技术研究的光电子专家。早在1972年，他就开始以氯化物法在蓝宝石衬底上!仁......
在用ＭＯＣＶ技术外延生长多层结构时，原材料的切换过程对生长界面的影响用高速氢气流冲洗管路，设计合理的压强配置而得到控制，获得了晶格区配......
Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２薄膜是一种具有广泛应用前景的典型的铁电薄膜。本文报道了用ＭＯＣＶＤ方法制备的Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２薄膜的Ｉ－Ｖ特性测量及其导电机理。结果表明，在低场下，Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２薄的Ｉ－Ｖ特性表......
通过特殊的MOCVD技术和器件工艺。应用超薄衬底和对正常衬底的减薄两种方法，成功地制作出了80μm厚的超薄GaInP／GaInAs／Ge结构的太阳......
一种涉及半导体新型材料领域，用化学气相沉积技术生产的热解氮化硼涂层基座，是针对目前用MOCVD技术制取GaN外延片时，由于受NH3气腐蚀，......
评述利用MOCVD技术在α-Al2O3衬底上生长GaN薄膜及InGaN／A1GaN双异质结(DH)结构的工艺与特性；从表面动力学观点着重讨论了GaN过渡层M......
MOCVD,即金属有机物化学气相沉积法、金属有机物气相外延生长,是一种制备化合物半导体薄层的方法,应用于多个领域,如太阳能电池、......
外延生长技术是制备半导体材科，特别是半导体器件的重要方法之一，用外延方法可以制作某些结构复杂的半导体器件。半导体材料和器件这......
本文评述了光诱导MOCVD技术的发展水平和技术进展。着重从生长动力学的角度介绍了光诱导MOCVD技术的原理、实验装置和光源的选取。......
ZnO作为一种N型宽带隙直接带隙半导体材料，室温下禁带宽度为3.37eV，有优异的压电、光电、压敏等特性，其原材料丰富且无毒，电导率和透过......
ＭＯＣＶＤ是一门制造化合物半导体器件的关键技术－ 本文综合分析了现代ＭＯＣＶＤ 技术的基本原理、特点及实现这种技术的设备的现状及其发展－ 重点讨论......
