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该文利用求解泊松方程的变分方法导出了表征器件短沟效应的自然沟长尺度表达式。均匀掺杂沟道体硅ＭＯＳＦＥＴ、该征掺杂沟道体硅ＭＯＳＦＥＴ和ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ短沟效应数值模拟比较结果与模型结论完全一致，表明模型能对不同器件结构的细致差别正确模拟。由于同时考虑了栅介质、沟道耗尽层和埋层中的二维效应，该模型可用于分析电学有效栅氧厚度近似的有效性。结果表明此近似只在介电常数较小时有效。