铜基底CVD微晶金刚石场致发射特性及接触性质研究

来源 :第四届中国功能材料及其应用学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：alabo353

【摘要】

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用微波等离子化学气相沉积法(MPCVD)在无氧铜基底上沉积微晶金刚石制作场发射冷阴极阵列(FEA),研究场致发射特性和金刚石与铜基底之间的欧姆接触特性.研究结果表明:在3.45MV/

【作者】

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谢扩军;曾葆青;杨中海;

【机构】

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电子科技大学高能电子研究所(四川成都)

【出处】

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第四届中国功能材料及其应用学术会议

【发表日期】

：

2001年期

【关键词】

：

场发射金刚石薄膜负电特性铜基底欧姆接触电子发射材料

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用微波等离子化学气相沉积法(MPCVD)在无氧铜基底上沉积微晶金刚石制作场发射冷阴极阵列(FEA),研究场致发射特性和金刚石与铜基底之间的欧姆接触特性.研究结果表明:在3.45MV/m电场强度下可获得100mA/cm<2>的发射电流密度,所发射的电子轰击荧光屏能产生明亮的荧光.通过微晶金刚石在铜基底上的嵌布从而实现了金刚石与铜基底之间的低欧姆接触.

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