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Al组分对n型掺杂AlGaN薄膜表面态密度的影响
【机 构】
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北京大学物理学院,北京,100871
【出 处】
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第二十届全国半导体物理学术会议
【发表日期】
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2015年3期
其他文献
InN is regarded as one of the representatives of the third generation of semiconductor.As the experiment confirmed that the narrow band gap of InN material,then greatly broadened the scope of applicat