【摘 要】
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器件建模与模拟在半导体器件结构设计和优化过程中发挥着举足轻重的作用.Poisson方程作为载流子电学行为遵从的基本方程之一,其快速、有效、精确的求解算法直接影响着器件模拟过程的收敛性、稳定性和准确性.本文针对有限差分法,基于Fermi-Dirac统计,给出了一种将非线性因子引入线性方程的求解思路,从而充分利用Newton-Raphson迭代法实现Poisson的数值求解.
【机 构】
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中国科学院微电子研究所,北京,100029 清华大学微电子研究所,北京,100084
【出 处】
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第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会
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器件建模与模拟在半导体器件结构设计和优化过程中发挥着举足轻重的作用.Poisson方程作为载流子电学行为遵从的基本方程之一,其快速、有效、精确的求解算法直接影响着器件模拟过程的收敛性、稳定性和准确性.本文针对有限差分法,基于Fermi-Dirac统计,给出了一种将非线性因子引入线性方程的求解思路,从而充分利用Newton-Raphson迭代法实现Poisson的数值求解.
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