CMOS器件中电荷泵过程的图解表示

来源 :第十六届全国半导体集成电路硅材料学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:nikun0081
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在本工作中,我们定义了的快速和慢速两种陷阱,并用图解的方式直观地解释了电荷泵测量中出现的诸如脉冲上升下降时间相关现象,频率相关现象,快速与慢速成分与测量电压的关系以及几何效应对电荷泵测量结果的影响。结果表明,由于电子和空穴的俘获截面不对称,并且测量到的电荷泵电流是由捕获截面较小的电子或者空穴陷阱决定,所以慢速陷阱的电荷泵测量中含有动态过程和稳态过程。
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