空穴陷阱相关论文
继前文的潜影形成模型,对化学增感乳剂进行了计算机模拟研究。结果如下:(1)硫增感引入大的浅陷阱,可增加敏度与改善低照互易律失效......
我们将Ｃ６０膜淀积在ｐ－ＧａＡｓ〈１００〉衬底上，做成了固体Ｃ６０／ｐ－ＧａＡｓ异质结并对其电学性质做了研究．异质结的理想因子接近于１，在偏压为±１Ｖ时，其整流比大于１０６倍．在正向偏压......
测量了缝电极和梳形电极a-Si:H样品的光伏安特性和光电灵敏度,提出了由光电灵敏度计算电荷放大增益的方法。由此法测出的a-Si:H的......
本文我们提出一种新的器件,它是根据非晶硅材料制成的,通过室温电容测量,能够直接探测红外辐射。该器件是一种p-c-n型叠层结构,这......
本文发现含染料的溴化银模型乳剂在g=2.0023下的光致ESR信号强度随化学成熟时间的增长而增强,与光敏度的变化呈平行关系。这一现象......
在电荷泵技术的基础上 ,提出了一种新的方法用于分离和确定氧化层陷阱电荷和界面陷阱电荷对 p MOS器件热载流子应力下的阈值电压退......
众所周知,碘在制备高感感光乳剂中起着十分重要的作用。它改变卤化银微晶的颗粒分布,增加卤化银微晶的晶格缺陷,促进卤化银微晶中......
通过对室温下的本征氮化镓材料进行不同波长(360 nm～377 nm)的光照,分析了本征氮化镓中的持续光电导及其复合机制。实验的结果证明......
核壳乳剂是提高照相乳剂的有效手段之一,近年来制备技术有很大发展。本文综述了核壳乳剂的制备方法。
Core-shell emulsion is on......
对常规工艺制备的ＳＩＭＯＸ（ＳｅｐａｒａｔｉｏｎｂｙＩＭｐｌａｎｔａｔｉｏｎｏｆＯＸｙｇｅｎ）材料，注入不同剂量的Ｆ＋并退火，其电容经（６０）Ｃｏγ射线电离辐照后平带电压漂移较小，通过同理论值相比较，说明Ｆ＋的注入减少了ＳＩＭＯＸ隐埋ＳｉＯ２层......
利用衬底热空穴 (SHH)注入技术 ,分别定量研究了热电子和空穴注入对薄栅氧化层击穿的影响 ,讨论了不同应力条件下的阈值电压变化 .......
本文对注N、注F的SIMOX/NMOSFET器件的抗辐射特性进行了研究,发现两者都能减少埋氧层及其界面的空穴陷阱,对辐射加固有所改善,特别......
期刊
决定Hg_(1-x)Cd_xTe光伏探测器性能的主要指标是其零偏压电阻与面积之乘积R_0A,Hg_(1-x)Cd_xTe材料中的深能级就是影响其PN结R_0A......
稀土元素Yb在1050℃扩散30分钟,已被引进硅中.它在P型硅中形成两个空穴陷阱Ev+0.38eV和 Ev+0.49cV,在N型硅中形成一个电子陷阱 Ec-......
本文报道 Hg Cd Te深能级的实验研究,对合金组分 x=0.21-0.28的Hg_(1-x)CdxTe光二极管作了测量.用P-N结电容随温度变化关系分析了......
本文指出高能磷离子对多晶硅异常深的穿透导致在MOS器件中产生高浓度空穴陷阱。在某些情况下,离子注入产生的缺陷不能根据照射前的......
以氦灯真空紫外光源研究了辐照下 n(100)硅衬底MOS样品的氧化层陷阱和Si-SiO_2界面态.发现在湿氧和干氧氧化层中都存在密度为10~(1......
本文介绍了用深能级瞬态谱(DLTS)法测量GaAs MESFET的深能级杂质和缺陷。在有源层中一般没有测到深能级杂质和缺陷,但在有源层与缓......
对两种衬底材料的 n~+/p/p~+结构的硅太阳电池进行了深能级瞬态谱(DLTS)测量。在二次直拉料衬底的电池中观察到一个空穴陷阱和两个......
第1期硅耗尽层少子产生率的强电场效应···············,··…李志坚田立林马鑫荣(1)离子注人.Cq激光退火硅中的深......
用静电放电方法研究硒碲材料中卤族元素掺杂对空穴陷阱的影响。结果表明卤族元素掺杂增加了硒碲材料的光量子效率η和光生载流子漂......
本文报道研究扩散掺钛的硅中深能级的结果。用DLTS法观测到三个与钛有关的深能级,即在n-Si(Ti)中有二个电子陷阱,能级位置分别为E_......
在5 × 10~(13)中子 cm~2辐照掺硼的p型氢气氛与氩气氛区熔硅以及p型直拉硅中,用结谱法观测到 12个空穴陷阱.其中H_6(0.12 eV)和 H......
对比电子辐照和氦、硼离子注入,研究了质子注入n型和P型直拉硅中产生的缺陷及其退火行为.指出我们所观察到的n型样品中的电子陷阱E......
用深能级瞬态谱(DLTS)研究了铂在N型和P型硅中引入的能级.制备了p~+nn~+深结,p~+n和n~+p浅结,Au/n-Si和Ti/p-Si肖特基等五种掺铂样......
用多种实验手段分别对地面和太空生长的掺Te砷化镓单晶的电学、光学均匀性和深能级行为进行了实验研究.初步结果表明:在太空进行再......
对n-Si低剂量(10~(11)cm~(-2))B~+和P~+离子注入产生的电子和空穴陷阱及其热退火行为.用DLTS方法作了迄今最完整的研究.首次报道了......
本文论述了非晶硅太阳电池光致衰减的一般特点,以及减缓和防止光致衰减的途径,即采用能增强非晶硅太阳电池内电场强度的多结结构和......
本文对亚微米MOSFET在漏雪崩恒流应力(DAS)条件下热载流子注入引起的退变现象做了实验研究。实验结果表明:在一般的恒流应力条件下......
本文研究了 2 MeV电子辐照对硅双极外延平面晶体管交流参数的影响.结果表明,在7×10~(14)cm~(-2)注入剂量下、输出电容已。有明显......
ＳＩＭＯＸ掩埋氧化物中与时间相关的电子和空穴陷阱＝Ｔｉｍｅ－ｄｅｐｅｎｄｅｎｔｈｏｌｅａｎｄｅｌｅｃｔｒｏｎｔｒａｐｐｉｎｇｅｆｆｅｃｔｉｎＳＩＭＯＸｂｕｒｉｅｄｏｘｉｄｅｓ［刊，英］／Ｂｏｅｓｃｈ．Ｈ．Ｅ．Ｊｒ…∥ＩＥＥＥＴｒａｎｓ．Ｎｕｃｌ．ｓｃ...
Time dependent electron and hole traps in SIMOX buried oxide = Time-d......
本文研究了氢原子与Ｓｉ中４ｄ过渡杂质（Ｐｄ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｍｏ）引入深中心的相互作用，得到了Ｓｉ中这些深中心被钝化的难易程度．从钝化角度支持了Ｓｉ：Ｐｄ与Ｓｉ：Ｒｈ中有关能级属于......
应用深能级瞬态谱(DLTS)技术详细研究分子束外延(MBE)和金属有机物化学汽相淀积(MOCVD)生长的AlGaAs/GaAs graded index sparate c......
实验结果表明:本文给出的探测器对快中子辐射损伤的灵敏度相当高。当累积中子通量为6.22×10~8cm~(-2)时,探测器对~(60)Co 1.33MeV......
基于热释光事件发生经历一个复杂的多阶段的过程和电离辐射与介质相互作用事件的随机性,并考虑到热释光材料中掺入的杂质所决定的......
基于热释光事件发生经历一个复杂的多阶段的过程和电离辐射与介质相互作用事件的随机性,并考虑到热释光材料中掺入的杂质所决定的......
在本工作中，我们定义了的快速和慢速两种陷阱，并用图解的方式直观地解释了电荷泵测量中出现的诸如脉冲上升下降时间相关现象，频率相关......
采用高频C-V曲线方法,研究了500A及150AMOS电容电离辐射空穴陷阱及界面态的建立过程,发现电离辐射空穴陷阱电荷密度在1×10GY(Si)......
该文给出了一个单开端同轴Ge（Li）探测器的快中子辐射损伤特性的研究结果。所用的中子源为[**]cf，平均中子能量为2Mev，源起始强度为1．64......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
本文采用微波吸收介电谱检测技术,系统研究了甲酸根离子掺杂的立方体卤化银乳剂在35ps脉冲激光作用下所产生的光电子衰减行为,分析......
