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该文用显微拉曼光谱方法对形成在多晶硅衬底上的不同厚度的ＣｏＳｉ〈，２〉薄膜所引起的应力进行了测量，并结合采用最新发展的ｍａｐｐｉｎｇ成象技术对实际器件中不同尺寸的ＣｏＳｉ〈，２〉薄膜与应力大小之间的关系做了初步的研究。结果表明，随着ＣｏＳｉ〈，２〉薄膜厚度的增加而应力增大，其大多晶硅上形成的ＣｏＳｉ〈，２〉薄膜的应力为压应力。而ＣｏＳｉ〈，２〉所引起的应力大小随着其面积的减小而增大。在边界处的应力由于边界效应，其方向与ＣｏＳｉ〈，２〉区域中心处的应力方向相反。