【摘 要】
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采用高能球磨结合放电等离子烧结(SPS)技术制备了细晶的Ni-W合金坯锭.经过不同的均匀化退火工艺,分别得到具有细小和粗大初始晶粒的两种Ni-8at.％W(Ni8W)合金坯锭, 以及Ni-8at.％W/Ni-12at.％W/Ni-8at.％W(Ni8W/Ni1 2W/Ni8W)复合坯锭.经过优化的轧制工艺及再结晶退火工艺最终分别获得了具有强立方织构的Ni-8at.％W合金基带及低磁性、较强立方织构
【机 构】
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国家教育部功能材料重点实验室;北京工业大学材料学院 北京 100124
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采用高能球磨结合放电等离子烧结(SPS)技术制备了细晶的Ni-W合金坯锭.经过不同的均匀化退火工艺,分别得到具有细小和粗大初始晶粒的两种Ni-8at.％W(Ni8W)合金坯锭, 以及Ni-8at.％W/Ni-12at.％W/Ni-8at.％W(Ni8W/Ni1 2W/Ni8W)复合坯锭.经过优化的轧制工艺及再结晶退火工艺最终分别获得了具有强立方织构的Ni-8at.％W合金基带及低磁性、较强立方织构的Ni8 W/Ni 12W/Ni8W复合基带.采用EBSD分析得到,在相同的轧制和退火工艺下,具有细小初始晶粒的Ni8W合金基带获得了95.1％(≤15°)的锐利立方织构,而具有粗大初始晶粒的Ni8W合金基带的立方织构含量仅为36.2％(≤ 15°).
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GaN基材料具有直接宽带隙、光覆盖从紫外到红外,高电子饱和速率等优异的物理和化学性能,使其成为国际上研究热点之一.目前,GaN基材料通常利用"两步法"生长在Sapphire等异质衬底上,但是由于大的晶格失配和热失配,此方法无法避免GaN中高密度的位错等缺陷,严重制约着GaN基光电子和微电子器件的发展和应用.
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MOCVD制备GaN薄膜的生长速率及晶体质量与反应腔内的压强、温度等生长条件有着密切的关联.炉腔内发生的化学反应非常复杂,制备GaN晶体过程中涉及的主要反应包括两条竞争路径:Ga (CH3)3分解反应和加和反应,副反应形成的纳米颗粒将降低晶体的质量和Ga源体的利用率,因此,有必要针对反应腔内纳米颗粒的形核路径进行分析.
织构合金基带的量产是第二代YBCO涂层超导线带材产业化的基础.本文以Ni5W百米级基带为目标,采用传统冷轧工艺,制备出80μm厚的Ni5W长基带.通过对初始坯锭的研究,分析初始厚度与总变形量对最终基带织构形成的影响;通过引入形变和热处理优化工艺,探索降低初始厚度、减少总变形量、提高轧制稳定性的制备工艺.结果发现,6.88mm厚的初始坯锭经过98.8％总变形量,织构含量达到97.6％(≤10°);而
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本文首次采用有机铌盐(乙醇铌)作为掺杂源,通过TFA-MOD法制备了Nb掺杂的YBCO薄膜.掺入的Nb在薄膜中形成尺寸在20-30nm之间的Ba2YNbO6(BYNO)纳米颗粒,适量的掺杂可以改善YBCO薄膜的表面质量,掺杂后Tc略有下降,但仍保持在90K以上;掺杂薄膜的Jc在自场和外场下均比纯YBCO高,α值明显减小,钉扎力显著提高.BYNO在薄膜中呈现外延和随机两种取向,研究发现BYNO纳米颗
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