【摘 要】
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本文研究了稀土Pr对新型(Co,Nb)掺杂SnO压敏材料微观结构和电学性质的影响.当PrO的含量从0增加到0.1mol﹪时,(Co,Nb)掺杂SnO压敏电阻的击穿电压从827V/mm锰增到2150V/mm.样品的微观结构分析发现,当PrO的含量从0增加到0.1mol﹪时,SnO的晶粒尺寸由4.50μm迅速减小到1.76μm.晶界势垒高度测量揭示,SnO的晶粒尺寸的迅速减小是击穿电压急剧增高的原因.
【出 处】
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中国电子学会第十三届电子元件学术年会
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本文研究了稀土Pr对新型(Co,Nb)掺杂SnO<,2>压敏材料微观结构和电学性质的影响.当Pr<,6>O<,11>的含量从0增加到0.1mol﹪时,(Co,Nb)掺杂SnO<,2>压敏电阻的击穿电压从827V/mm锰增到2150V/mm.样品的微观结构分析发现,当Pr<,6>O<,11>的含量从0增加到0.1mol﹪时,SnO<,2>的晶粒尺寸由4.50μm迅速减小到1.76μm.晶界势垒高度测量揭示,SnO<,2>的晶粒尺寸的迅速减小是击穿电压急剧增高的原因.对Pr含量增加引起SnO<,2>晶粒减小的根源进行了解释.掺杂0.05mol﹪ Pr<,6>O<,11>的SnO<,2>压敏电阻非线性系数高达61,击穿电压高达1540V/mm,掺杂0.01mol﹪ Pr<,6>O<,11>的SnO<,2>压敏电阻非线性系数高达42,击穿电压高达2150V/mm,它们在超高压保护领域会有很好的应用前景.
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