【摘 要】
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采用中频磁控溅射技术,使用N2和Ar混合气体作为反应气体,分别溅射硼靶和石墨靶,在单晶硅衬底上制备了BCN薄膜.利用傅立叶变换红外光谱(FTIR)和X射线光电子能谱(XPS)对薄膜的微观结构和化学组成进行了分析,结果表明,N元素在薄膜中主要是以B-N和C=N键合形式存在;另外,分析表明薄膜中还存在B-C键,这说明制备的BCN薄膜并非是石墨和h-BN简单的物理混合,而是B、C、N三种元素形成的具有一
【机 构】
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中国科学院兰州化学物理研究所固体润滑国家重点实验室,甘肃,兰州,730000;中国科学院研究生院,北京,100039
【出 处】
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第六届全国表面工程学术会议暨首届青年表面工程学术论坛
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采用中频磁控溅射技术,使用N2和Ar混合气体作为反应气体,分别溅射硼靶和石墨靶,在单晶硅衬底上制备了BCN薄膜.利用傅立叶变换红外光谱(FTIR)和X射线光电子能谱(XPS)对薄膜的微观结构和化学组成进行了分析,结果表明,N元素在薄膜中主要是以B-N和C=N键合形式存在;另外,分析表明薄膜中还存在B-C键,这说明制备的BCN薄膜并非是石墨和h-BN简单的物理混合,而是B、C、N三种元素形成的具有一定原子比的化合物。
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