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本文利用MOCVD在SiO2/Si (111)图形衬底上无催化制备出形貌较为均一的InAs纳米线阵列，同时研究了衬底预处理过程中HF溶液的腐蚀时间及腐蚀后图形孔径对InAs纳米线阵列形成的影响等问题。
图形衬底上InAs纳米线阵列的MOCVD无催化生长
【摘 要】
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本文利用MOCVD在SiO2/Si (111)图形衬底上无催化制备出形貌较为均一的InAs纳米线阵列，同时研究了衬底预处理过程中HF溶液的腐蚀时间及腐蚀后图形孔径对InAs纳米线阵列形成
【机 构】
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中国科学院半导体研究所材料科学重点实验室,100083
【出 处】
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第十二届全国MOCVD学术会议
【发表日期】
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2012年期
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