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本工作提出了一种测量耗尽层电容和界面态电容的新方法,即C-A法：电容——面积法。它可以分别用于测量半导体薄膜材料的杂质浓度和界面态密度。例如：测量SiC 外延片的杂质浓度,SOI、GOI材料的界面态密度。
一种测量半导体材料电学参数的C-A法
【摘 要】
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本工作提出了一种测量耗尽层电容和界面态电容的新方法,即C-A法：电容——面积法。它可以分别用于测量半导体薄膜材料的杂质浓度和界面态密度。例如：测量SiC 外延片的杂质浓
【机 构】
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南开大学高分子化学研究所,天津 300071
【出 处】
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第十三届全国固体薄膜学术会议
【发表日期】
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2012年期
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