【摘 要】
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采用中频反应磁控溅射技术,在石英基片上制备了氧化铝薄膜。研究了氧化铝薄膜的XRD谱和Al2p核心能级的XPS谱随不同制备氧分压比的演变规律。随着制备氧分压比的增加,薄膜中的
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目(50376067);辽宁省教育厅科学基金资助项目(2008316)
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采用中频反应磁控溅射技术,在石英基片上制备了氧化铝薄膜。研究了氧化铝薄膜的XRD谱和Al2p核心能级的XPS谱随不同制备氧分压比的演变规律。随着制备氧分压比的增加,薄膜中的铝元素从金属态逐渐升高到正三价,同时薄膜由晶态逐渐转变成非晶态。当氧分压比为11%时,可以得到符合化学计量比的、非晶态的、表面非常光滑的氧化铝薄膜,该薄膜具有较高的折射率和较低的消光系数。AFM表面相貌图片显示:随氧分压比增加薄膜表面形貌呈现逐渐光滑的趋势。薄膜在300-1100nm波段有很高的透射率;薄膜的折射系数和消光系数随氧分压比的变化规律也进行了研究。以上性质表明用中频反应磁控溅射技术制备的氧化铝薄膜在光学领域有着广泛的应用前景。
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