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本文对多晶硅后高温退火对热SiO<,2>可靠性的退化作用进行了实验研究,并采用N<,2>O氮化抑制了多晶硅后高温退化效应.
多晶硅后热退火引起SiO2栅介质可靠性下降及其抑制方法
【摘 要】
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本文对多晶硅后高温退火对热SiO可靠性的退化作用进行了实验研究,并采用NO氮化抑制了多晶硅后高温退化效应.
【机 构】
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北京大学微电子学研究所(北京)
【出 处】
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第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议
【发表日期】
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2001年期
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