光伏组件长时间工作性能衰减因素分析与综述

来源 :第十四届中国光伏大会暨2014中国国际光伏展览会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:weibo525525888
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  作为光伏电站的发电器件,光伏组件长时间工作后的实际发电性能衰减问题已经成为光伏应用产业必须解决的重要问题。本文收集整理自1950 年以后的国内外相关光伏组件性能衰减方面的文献与资料进行深入分析研究,总结光伏组件的性能衰减研究方法梳理光伏组件性能衰减研究历程;从太阳长时间能光伏产业生产工艺发展变化、户外测试方法、重点衰减因素分析等方面进行了资料整理和研究;重点针对晶体硅光伏组件的性能衰减问题进行了综合分析与研究,得出相关结论,并针对光伏组件的长时间工作性能衰减的研究方向提出建议。
其他文献
高电导率、宽带隙的p型纳米硅氧(p-nc-SiOx∶H)材料作为非晶硅电池(a-Si∶H)的窗口层,使得短波响应得到明显的提升.但是由于宽带隙的p-nc-SiOx∶H的引入,使得p/i界面能带失配,恶化电池的性能.因此将具有低激活能和较低缺陷态密度的本征非晶硅氧(i-a-SiOx∶H)材料作为缓冲层,获得效率为10.64%的单结a-Si∶H电池.另,通过优化氢气处理i-a-SiOx∶H材料,得到了
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为适应高效率薄膜太阳电池应用,本文采用磁控溅射法生长三种不同沉积方式的氢化作用下Mg和Ga共掺杂ZnO(HMGZO)透明导电氧化物(TCO)薄膜,并通过后续湿法刻蚀技术获得绒面结构.ZnO薄膜中借助Mg掺杂,实现光学带隙展宽,提高短波长区域(即近紫外区域,NUV)的光学透过率;而通过Ga和H的掺杂作用,改善ZnO薄膜的电学特性.由于三种不同沉积方式(摆动方式、衬底固定在左侧辉光区域正上方方式和衬底
采用合适的陷光结构,可有效增加光吸收,减小太阳电池厚度,降低太阳电池生产成本.通过在玻璃上沉积Al膜,经过退火及湿法腐蚀后形成蜂窝状凹坑,可获得铝诱导表面织构玻璃(Aluminum Induced Textured glass,AIT玻璃),以这种玻璃作为衬底是实现硅基薄膜太阳电池有效陷光的方法之一.
用共溅射的方法在镀钼钠钙玻璃上制备铜锌锡三元金属预制层,采用快速升温热处理退火,分别在200℃,250℃,300℃,350℃,400℃,450℃,500℃,550℃,600℃硫化,得到的薄膜分别采用XRD,Raman,SEM物相和形貌的表征,确定了在不同温度下退火所得到的相组成.结果表明,硫化退火过程中,主要形成的二元相有Cu2S、ZnS、SnS,它们的形成温度在250-300℃.三元相Cu2Sn
氢在ZnO∶Al中是一种n型掺杂,所以它能够降低应用于太阳电池的AZO透明导电薄膜的电阻率.但是由于在ZnO中H和Al的掺杂机制不同,为了得到高性能的ZnO∶Al/H薄膜,有必要对其磁控溅射沉积的工艺进行再优化.研究了沉积温度和气压对射频磁控溅射法制备的氢化AZO薄膜的影响,发现在272℃的较高温度下,薄膜的电阻率随溅射载气中氢含量的增加而增加;当沉积温度降低至200℃时,电阻率受氢气含量影响的幅
本团队采用磁控溅射后硫化法制备铜锌锡硫电池。先在玻璃衬底上共溅射SnS2,Cu以及ZnS三种化合物,然后在硫化氢气氛中高温退火而成。在前驱体中引入金属化合物ZnS,减少了在退火过程中因为元素挥发引起的组分偏差因素。通过了解退火条件与组分流逝之间的关系,可以再退火过程中能够通过适当的参数控制来获取想要的组分,从而制备高质量的CZTS薄膜。目前通过调整前驱体组分,优化工艺条件,可以制备出效率超过8%的
本文尝试以以溅射工艺制备Zn(O,S)缓冲层代替传统工艺的CdS层和i-Zn0层,不仅工艺步骤得到简化,并且使整体工艺均在真空环境下进行,以此避免工业化生产中由于CIGS脱离真空环境可能受到的污染,从而提高产品的良率。非CdS的缓冲层普遍会有light-soaking现象,在干法制备缓冲层上尤其如此。本文在优化Zn(O,S)缓冲层的过程中,研究了不同溅射环境、S比例等因素下的缓冲层对light-s
大容量光伏电站的远距离并网问题是制约其发展的关键问题之一,柔性直流输电技术可以解决这一问题。本文分析了光伏电站运行机理及两端MMC-HVDC 系统的输电原理,设计了光伏电站经两端MMC-HVDC 系统并网的协调控制策略。
本文依据光伏组件测试新版(征求稿)IEC 61215、IEC 61730、UL 1703 中对测试内容的更改、删减、增加与现行版本进行对比和解读,总结其适用性和实用性。给测试人员提供测试变更建议。