【摘 要】
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热解(NH)[(VO)(CO)(OH)]·10HO晶体前驱体.可制得粒径可控为10~60nm、VO~VO(x纳米粉体.VO纳米粉体烧结成粒径/ρ可达10数量级跳变的VO纳米晶陶瓷.随缺氧的增加,T和ρ/ρ比值降低,晶胞的a,c轴和体积V都随之减小.烧结温度过高,陶瓷出现VO杂相,杂相严重降低陶瓷的性能.
【机 构】
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中山大学物理学系(广东广州) 中山大学化学学系(广东广州)
【出 处】
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2003年第十届全国电介质物理与功能材料学术会议
论文部分内容阅读
热解(NH<,4>)<,5>[(VO)<,6>(CO<,3>)<,4>(OH)<,9>]·10H<,2>O晶体前驱体.可制得粒径可控为10~60nm、VO<,1.950±x>~VO<,2.050±x>(x<0.005)整比性可控的无定形态、准结晶态或结晶态、颗粒均匀、呈球形的VO<,2>纳米粉体.VO<,2>纳米粉体烧结成粒径<400nm,比值ρ<,x>/ρ<,Μ>可达10<3>数量级跳变的VO<,2>纳米晶陶瓷.随缺氧的增加,T<,c>和ρ<,x>/ρ<,Μ>比值降低,晶胞的a,c轴和体积V都随之减小.烧结温度过高,陶瓷出现V<,8>O<,15>杂相,杂相严重降低陶瓷的性能.
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