【摘 要】
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在玻璃和硅衬底上利用高真空直流磁控溅射的方法淀积了结构为Ta/NiFe/CoFe/Cu/CoFe/IrMn/Ta的IrMn顶钉扎自旋阀薄膜.分别研究了降低矫顽力和提高交换场的方法.经过结构的改善和工艺条件的优化后,使自旋阀的磁电阻率达到9.12﹪,矫顽力为1.04×(10/4π)A/m.研究了RIE对自旋阀性能的影响,发现2分钟的RIE能使矫顽力减小33﹪,而磁电阻率几乎不受影响.利用CoFe/C
【机 构】
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微电子所,清华大学(中国北京) 深圳华夏磁电子公司(中国深圳)
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在玻璃和硅衬底上利用高真空直流磁控溅射的方法淀积了结构为Ta/NiFe/CoFe/Cu/CoFe/IrMn/Ta的IrMn顶钉扎自旋阀薄膜.分别研究了降低矫顽力和提高交换场的方法.经过结构的改善和工艺条件的优化后,使自旋阀的磁电阻率达到9.12﹪,矫顽力为1.04×(10<3>/4π)A/m.研究了RIE对自旋阀性能的影响,发现2分钟的RIE能使矫顽力减小33﹪,而磁电阻率几乎不受影响.利用CoFe/Cu/CoFe SAF结构替换掉与IrMn相邻的CoFe被钉扎层,使交换场从原来没有SAF的180×(10<3>/4π)A/m上升到600×(10<3>/4π)A/m左右.这种高性能的自旋阀适用于具有广泛前景的GMR传感器.
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