【摘 要】
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本文通过低温电导法和TZDB、TDDB等测试手段对比分析了NO&FGA退火处理对SiC/SiO2界面以及SiO2介质质量的影响.研究发现,单独的FGA退火对于降低界面态效果有限,NO&FGA综合处理手段则能够有效地降低SiC/SiO2的界面态.经过FGA退火处理后,样品的F-N隧穿势垒,击穿场强以及击穿电荷分别从2.42 eV,10 MV/cm,1mC/cm2提升到了2.62 eV,10.7 MV
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本文通过低温电导法和TZDB、TDDB等测试手段对比分析了NO&FGA退火处理对SiC/SiO2界面以及SiO2介质质量的影响.研究发现,单独的FGA退火对于降低界面态效果有限,NO&FGA综合处理手段则能够有效地降低SiC/SiO2的界面态.经过FGA退火处理后,样品的F-N隧穿势垒,击穿场强以及击穿电荷分别从2.42 eV,10 MV/cm,1mC/cm2提升到了2.62 eV,10.7 MV/cm,78mC/cm2.而经过NO&FGA综合处理过的样品,其F-N隧穿势垒,击穿电场,击穿电荷值分别为2.69 eV,10.2MV/cm,and 24mC/cm2.结果表面,FGA对于改善SiO2质量作用很大,但综合考虑界面与介质两方面时,NO&FGA退火是更好的选择.
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