CMOS technology is one of the most frequently used technologies in the semiconductor industry as it can be successfully ......

利用Sentaurus TCAD软件模拟研究了Halo注入工艺参数（注入角度、剂量、能量）对50nm NMOS器件性能的影响。结果表明,Halo注入角度和剂......

针对Si/SiGe pMOSFET器件结构求解泊松方程,同时考虑器件尺寸减小所致的物理效应,如漏致势垒降低（DIBL）效应、短沟道效应（SCE）和速度过......

基于MOS器件的短沟道效应和漏致势垒降低效应理论，通过求解泊松方程，建立了表面Ge沟道pMOSFET的阚值电压模型．基于该模型对表面Ge沟道......

随着器件尺寸的不断缩小,器件的小尺寸效应越来越严重,传统的平面结构MOSFET已经达到其物理极限。为了克服短沟道效应,出现了很多......