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Hf-Ti-O栅介质薄膜材料以及在ETSOI MOSFET器件的性能研究
本论文主要研究Hf-Ti-O薄膜作为栅介质材料的MOS和ETSOI MOSFET器件性能.通过MOS器件性能研究,得到以Hf-Ti-O薄膜作为栅介质材料具......
会议
Hf-Ti-O
high-k
ETSOI
MOSFET
conduction mechanism
DIBL
subthreshold swing
铪基栅介质薄膜的PEALD制备及界面调控研究
随着CMOS集成电路的快速发展,集成电路的基本单元MOSFET器件的几何尺寸不断缩小。在这种条件下,器件的栅介质性能、沟道迁移率以及......
学位
铪基高k栅介质
PEALD
掺杂
等离子体处理
Si
SiGe
ETSOI
MOSFET
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