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Anisotropic Electronic Structures on Silver Thin Films Induced by Substrates with Low-Dimensional Su
【机 构】
:
Institute for Solid State Physics(ISSP),the University of Tokyo,Kashiwa 270-8581,Japan;Hiroshima Syn
【出 处】
:
IUPAC 5th International Symposium on Novel Materials and the
【发表日期】
:
2009年12期
其他文献
制作了一种新型的结合了AIGaN材料结构和Poly(vinylidene fluoride)(PVDF)热释电材料的日盲紫外探测器.当紫外光从AIGaN一侧背照射至器件上时,测量PVDF两端的热释电响应光谱,测得峰值响应在入射光波长为260nm处,响应电压高达129.6mV(此时辐射功率为39.8nW).器件响应机理为:紫外光被i-Al0.35Ga0.65层吸收,产生光生载流子并复合生热,热量通过
Rational Design of 3D Molecular Building-Blocks:Steering 2d Self-Assembly to Access the 3rd Dimensio