日盲探测器相关论文
采用射频磁控溅射法在石英基底上制备Ga2O3薄膜并在氩气气氛中控制不同的退火温度进行后退火，通过对样品的晶体结构、透射率、表面......
因为大气层强烈的吸收和散射,波长小于280 nm的太阳光不能到达地球表面,这一波长区域为光学探测提供了一个低背景窗口,被称为日盲......
Ga2O3,一种超宽带隙（Eg～4.9 eV）透明氧化物半导体材料,具有高击穿场强、耐高温、抗辐射性强、化学稳定性好等特性,在微纳光电子领域有......
制作了一种新型的结合了AIGaN材料结构和Poly(vinylidene fluoride)(PVDF)热释电材料的日盲紫外探测器.当紫外光从AIGaN一侧背照射......
利用现有外延材料生长技术和器件工艺技术,生长了背照式AlxGa1-xN pin外延材料,并用生长的材料制作了日盲紫外探测器,测试结果表明......
Ga2O3材料具有禁带宽度高、饱和电子迁移率大、击穿电场高以及抗辐射性能优异等特点,其在日盲探测器、短波发光器件、透明电子器件......
AlGaN材料具有可调的宽禁带直接带隙,电子饱和漂移速度高、击穿场强大、化合键能强,由于材料晶体结构和生长技术的原因,AlGaN材料......
在宽禁带半导体中，ZnO及其合金MgxZn1-xO因其优异的光电性能和储量丰富，无毒，环境友好，生长温度低等特性，吸引了人们越来越多的关注。因......
制作了一种新型的结合了AlGaN材料结构和Poly(vinylidene fluoride)(PVDF)热释电材料的日盲紫外探测器。当紫外光从AlGaN一侧背照......
采用MOCVD生长的高Al含量n-AlxGa1-xN制备了金属-半导体-金属(MSM)结构紫外日盲探测器。材料为非故意掺杂n型,表面无裂缝。经三轴X......
采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）方法在Si衬底上实现了立方结构的Mg0.25Zn0.75O薄膜生长.在此基础上,实现了Mg0.25Zn0.75 O/n-Si异......
紫外(UV)光电探测技术在民用和军事等众多领域具有广泛的应用,比如生物/化学分析、火焰传感、保密通信、导弹跟踪和环境监测等。由......
β-Ga2O3是一种新型的超宽禁带氧化物半导体,禁带宽度约为4.9 eV,对应日盲区,对波长大于253 nm的深紫外一可见光具有高的透过率,是......
以碳化硅(Sic)和氮化镓(GaN)为代表的新一代宽禁带半导体材料及其器件在紫外光电探测、功率和抗辐射的微电子器件领域有巨大的优势......
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......
紫外光电器件在绿色照明,光通信和紫外探测等方面有着广泛的应用和巨大的前景。II-VI族半导体氧化锌(Zn O)材料作为一种直接带隙半......
近几年,工作于深紫外区(200-300nm)的半导体光电探测器件已经得到广泛关注,这是由于这一类型的器件广泛用于火焰探测、生物化学制......
对于诸如高超音速飞行器的早期探测和预警、以及在日盲紫外波段的应用等非常微弱信号的探测来说,可以光子计数的单光子探测器特别......
结合外延材料工艺、芯片工艺及互连集成工艺具体情况,分析了AlGaN外延材料、探测器阵列芯片及倒焊芯片的均匀性特点,讨论了影响外......
以氮化镓(GaN)、氮化铝(AlN)为代表的Ⅲ族氮化物材料，属于直接带隙宽禁带半导体材料，具有良好的化学和热稳定性。这类半导体以其优异......
