【摘 要】
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通过联合运用液滴外延法和SK法来研究生长的InGaAs量子点的密度、尺寸以及分布均匀性与沉积的In的量之间的关系，得到了不同In沉积量下形成的InGaAs量子的RHEED和STM图片.通过对InGaAs量子点的RHEED和STM图片的分析发现，先利用Ga液滴在GaAs (001)面上刻蚀出纳米洞，随后在As压下使Ga与As重新结合成GaAs.在As4压下沉积In的过程中，会优先在纳米洞内及其周围生
【机 构】
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贵州大学电子科学系,贵阳550025 贵州财经学院教育管理学院,贵阳550025
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通过联合运用液滴外延法和SK法来研究生长的InGaAs量子点的密度、尺寸以及分布均匀性与沉积的In的量之间的关系，得到了不同In沉积量下形成的InGaAs量子的RHEED和STM图片.通过对InGaAs量子点的RHEED和STM图片的分析发现，先利用Ga液滴在GaAs (001)面上刻蚀出纳米洞，随后在As压下使Ga与As重新结合成GaAs.在As4压下沉积In的过程中，会优先在纳米洞内及其周围生长出InGaAs量子点，在平坦GaAs表面出现分布零乱的InGaAs量子点.随着InAs沉积量的增加，这些量子点的密度逐渐增大，尺寸及分布越来越均匀，同时在原纳米洞周围形成一个分布均匀的InGaAs量子环结构.
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